Gallium arsenide is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure, widely used in electronics and optoelectronics.
نطاق المحتوى: تتعلق المعلومات الواردة في هذه الصفحة بتحديد المواد الكيميائية وبسياقات التوريد الصناعي والبحث والإنتاج. وهي لا تشكّل ادعاءً علاجياً أو نصيحة طبية أو إرشادات لاستخدام الأدوية.
هل تشتري أو تورد هذا المركب؟
أضف مخزونك أو أنشر طلب شراء
CAS 1303-00-0
Europium oxide
Rare earth oxide for electronic chemicals
تيلوريد الزنك
semiconductor and photoconductor material
Trans,trans-4'-Propyl-4-(3,4,5-trifluorophenyl)bicyclohexyl
liquid crystal material
N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-4-amine
Electronic chemical intermediate
gallanylidynearsane
JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
[Ga]#[As]