Gallium arsenide is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure, widely used in electronics and optoelectronics.
Alcance del contenido: La información de esta página se refiere a la identificación química y a los contextos de suministro industrial, investigación y producción. No constituye una afirmación terapéutica, un consejo médico ni instrucciones de uso de medicamentos.
¿Adquiriendo o suministrando este compuesto?
Publique su inventario o una solicitud de compra
CAS 1303-00-0
Europium oxide
Rare earth oxide for electronic chemicals
Telururo de zinc
semiconductor and photoconductor material
Trans,trans-4'-Propyl-4-(3,4,5-trifluorophenyl)bicyclohexyl
liquid crystal material
N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-4-amine
Electronic chemical intermediate
gallanylidynearsane
JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
[Ga]#[As]