AsGa
144.645 g/mol
电子化学品危险
GALLIUM ARSENIDE
砷化鎵
CAS1303-00-0EC215-114-8
用途分类
电子化学品
化合物类别
其他
主要用途
电子学和光电子学用半导体
砷化镓是一种具有闪锌矿晶体结构的III-V族直接带隙半导体，广泛应用于电子学和光电子学领域。
电子学用半导体光电子学用半导体
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CAS 1303-00-0
相关化合物
安全参考
危险
H350May cause cancer
H372Causes damage to organs through prolonged or repeated exposure
H360May damage fertility or the unborn child
H370Causes damage to organs
H331Toxic if inhaled
标识符
IUPAC 名称
gallanylidynearsane
InChIKey
JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES
[Ga]#[As]
别名列表 (13)
- GALLIUM ARSENIDE
- Gallium Arsenatum
- Gallium arsenide (GaAs)
- Gallium monoarsenide
- Gallium monoarsenide (GaAs)
- arsinogallane
- gallanylidynearsane