この化合物は、4つのテトラメチルヘプタンジオネート配位子を持つジルコニウム配位錯体であり、薄膜堆積プロセスにおける揮発性金属前駆体として使用されます。主に研究および実験室での化学気相成長（CVD）または原子層堆積（ALD）用途に利用されています。
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CAS 18865-74-2
tetrakis(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione);zirconium(4+)
MOOILSXNGBFZKZ-UHFFFAOYSA-N
CC(C)(C)C(=O)[CH-]C(=O)C(C)(C)C.CC(C)(C)C(=O)[CH-]C(=O)C(C)(C)C.CC(C)(C)C(=O)[CH-]C(=O)C(C)(C)C.CC(C)(C)C(=O)[CH-]C(=O)C(C)(C)C.[Zr+4]
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